氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體材料廣泛用于信息化社會、人工智能、萬物互聯、現代農業、現代醫療、智能交通、國防
半導體產業網獲悉：近日，阿爾斯通在華合資企業江蘇新譽阿爾斯通牽引系統有限公司（下稱ANP）研發生產的新一代碳化硅永磁電機牽
近日，中國電科55所牽頭研發的高性能高可靠碳化硅 MOSFET技術及應用成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為，該項目技術難度大，創新
自半導體誕生以來，半導體材料便不斷升級。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電
隨著新能源汽車的普及及5G的商用，量產新能源車型中搭載碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化鎵，催生了碳化硅產業鏈從
蘇州高視半導體技術有限公司邀您參加2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術論壇。2023年5月5-7日，2023碳化硅關鍵裝備、
德智新材邀您參加2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術論壇。2023年5月5-7日，2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導
2023年5月5-7日，2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術論壇將在中國長沙圣爵菲斯大酒店舉辦?？朴寻雽w誠邀您蒞臨展位
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2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇（CASICON 2023）尊敬的各有關單位：第三代半導體是實現雙碳目標、東數西
3月24日，清華大學蘇州汽車研究院和深圳市至信微電子在蘇州吳江區正式簽約共建碳化硅聯合研發中心合作協議。旨在推動碳化硅技術
碳化硅作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性，使電力電
2023年2月7-10日，開年盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。
以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的
開年第三代半導體盛會，凝心聚力再啟新征程！ 第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）
碳化硅晶體是一種性能優異的半導體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領域具有重要應用。春節期間，中科院物理研究所科研團
1月11日，據愛仕特官微透露，愛仕特完成超3億元戰略融資。這是繼武岳峰資本李峰總投后，武岳峰資本武平總領投愛仕特A+輪融資
碳化硅是第三代半導體產業發展重要的基礎材料。碳化硅器件以其優異的耐高壓、耐高頻、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電
近日，美國物理聯合會(American Institute of Physics)旗下的著名期刊《應用物理評論》（Applied Physics Reviews）在線發表了上
2022年11月7-10日， 一年一度行業盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 202