碳化硅作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性，使電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進。在新能源發(fā)電、電動汽車等一些重要領域也展現(xiàn)出其巨大的應用潛力。
近日，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。本屆論壇是在國家科學技術(shù)部高新技術(shù)司、國家科學技術(shù)部國際合作司、國家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、 國家節(jié)能中心、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會、江蘇省科學技術(shù)廳、蘇州市科學技術(shù)局、蘇州工業(yè)園區(qū)管理委員會的大力支持下，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合主辦。
期間，“碳化硅功率電子器件技術(shù)論壇“如期召開。該論壇由該分會由勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、南京芯干線科技有限公司、蘇州博湃半導體技術(shù)有限公司、深圳市先進連接科技有限公司、江蘇省第三代半導體研究院協(xié)辦支持。
奧地利維也納工業(yè)大學微電子研究所所長、教授Tibor GRASSER，國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司教授級高工楊霏，中國電子科技集團公司第四十八研究所、半導體裝備研究部主任鞏小亮，浙江大學特聘副研究員任娜，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理謝秋實，復旦大學副研究員雷光寅，東南大學教授劉斯揚，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超，西安電子科技大學副教授孫樂嘉，南京芯干線科技有限公司董事長兼CTO傅玥，賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖，中國電子科技集團公司第五十五研究所劉奧，武漢大學工業(yè)科學研究院研究員張召富等來自國內(nèi)外的知名專家、學者和企業(yè)代表共同參與，圍繞碳化硅功率電子器件前沿技術(shù)分享主題報告。
江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超做了題為“第三代半導體封裝用高性能陶瓷基板及金屬化技術(shù)”的主題報告，報告指出，AlN陶瓷基板的熱導率提升有利于助推其更廣闊的應用前景；超高導熱AlN陶瓷基板的低成本制造技術(shù)突破關乎AlN陶瓷基板材料能否進入更多應用領域的關鍵因素；高性能AlN陶瓷基板與DPC金屬化技術(shù)的充分結(jié)合，將會更好的滿足未來高密度封裝的發(fā)展需求。
西安電子科技大學副教授孫樂嘉做了題為”SiC基等離子體波脈沖功率器件與應用研究“的主題報告，結(jié)合脈沖功率技術(shù)與發(fā)展趨勢，分享了斷開型 4H-SiC DSRD 器件和閉合型 4H-SiC DAS 器件研究進展。報告指出隨著脈沖功率的超寬帶、高頻化、小型化、高效化的發(fā)展需求，SiC等離子體波器件突破了原有Si基器件的物理極限，在高阻斷電壓下，將器件開關速度穩(wěn)定推至皮秒級，大幅擴展了脈沖功率技術(shù)覆蓋的功率范圍與時間尺度，在未來超寬帶脈沖通訊與雷達、生物醫(yī)療及電子對抗等領域具有極廣闊的應用前景；材料特性與終端結(jié)構(gòu)對SiC等離子體波器件的性能影響顯著，如何減少材料缺陷，優(yōu)化體內(nèi)電場分布，提出更優(yōu)秀的終端結(jié)構(gòu)阻止芯片邊緣擊穿仍是重大挑戰(zhàn)。SiC等離子體波器件的皮秒級開關特性對電路寄生參數(shù)、離子注入與抽取控制精度更為敏感，對器件參數(shù)和電路參數(shù)的匹配提出更高要求，后續(xù)工作需要通過數(shù)值、解析模型建立器件的Spice模型，提高電路仿真與設計的準確性。
賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖做了題為”汽車電源模塊用DtC無銀Si3N4 AMB基板”的主題報告， 電源模塊的包裝配置，Si3N4襯底是最適合EV應用的SiC封裝解決方案，2025年Si3N4基板市場份額顯著增加，成熟的市場需要經(jīng)濟高效的解決方案，使用具有不同熱性能的Si3N4板提供“足夠好”的MCS，開發(fā)無銀釬焊膏降低價格，通過提高生產(chǎn)力降低價格，
中國電子科技集團公司第五十五研究所劉奧做了題為“SiC MOSFET熱阻精確測量技術(shù)研究”的主題報告，結(jié)合的數(shù)據(jù)，分享了研究進展與成果。報告指出，在傳統(tǒng)的熱阻測試方法中，器件的柵極氧化物狀態(tài)是穩(wěn)定的，并且在柵極受到電壓應力之后，閾值電壓不會漂移。人們認為，柵極偏置應力期間柵極氧化物狀態(tài)的不穩(wěn)定性導致了熱阻測試過程中的誤差。體二極管加熱模式是SiC MOSFET熱阻測量的最佳加熱模式。