2025年開局，中國新能源汽車市場延續了此前的強勁勢頭。1-2月產銷分別完成190.3萬輛和183.5萬輛，同比增速達52%，滲透率攀升至41
4月7日，據大眾新聞報道，天岳先進位于濟南市槐蔭區的碳化硅項目即將迎來投產。據了解，該項目為年產500噸碳化硅單晶基地擴產能
4月8日午間，士蘭微(600460)披露公司碳化硅項目的最新進展。經過加快建設，第Ⅱ代SiC芯片生產線產能正在釋放。同時，第Ⅳ代SiC芯
4月2日下午，魯晶半導體技術團隊在徐文匯總經理的帶領下，赴山東大學新一代半導體材料研究院開展碳化硅（SiC）功率器件技術交流
近日，深圳市金威源科技股份有限公司與杰平方半導體（上海）有限公司正式簽訂碳化硅戰略合作協議，雙方企業負責人及相關人員出席
天岳先進攜全系12英寸碳化硅襯底產品矩陣震撼登場。其中，12英寸碳化硅光學片更是成為展會焦點，不僅展示了天岳先進的技術實力，也為AR虛擬顯示領域帶來了全新的解決方案。
碳化硅作為一種高性能材料，因其獨特的物理和化學性質，在半導體行業中，特別是作為涂層材料時，展現出了顯著的優勢。一代材料，
國家知識產權局信息顯示，北京天科合達半導體股份有限公司申請一項名為一種在坩堝內部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的方法的
近日，西湖儀器成功實現12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進了碳化硅行業的降本增效。此
全球首發！天岳先進攜全系列12英寸碳化硅襯底產品震撼登場SEMICON China 2025
半導體產業網訊：在半導體材料領域，碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，因其卓越的性能而備受關注。然而，高品質低成本
專利摘要顯示，本發明涉及 一種 8 英寸碳化硅晶圓單 面拋光方法，采用半徑小 于 8 英寸的陶瓷盤對 8 英 寸碳化硅晶圓進行單面 拋
天眼查顯示，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專利公布，申請公布日為2025年2月14日
四川普州大地城市產銀科技發展有限公司與新加坡拓譜電子公司（Singapore TOPO electronic Pte, LTD）成功簽署合作協議
三安光電表示，重慶三安的襯底產品已穩定供應安意法產線，隨著產能爬坡，成本優勢將進一步顯現。
博世汽車電子中國區（ME - CN）在蘇州五廠正式建成碳化硅（SiC）功率模塊生產基地，這一里程碑式進展標志著博世在碳化硅功率模塊生產領域邁入全新階段。
3月11日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應用場景，提供
3月7日，中國（福建）自由貿易試驗區廈門片區管理委員會發布消息，瀚天天成電子科技（廈門）有限公司的8英寸碳化硅外延晶片廠房
河北保定近日迎來第三代半導體產業重要突破河北同光半導體股份有限公司國家級企業技術中心正式揭牌，同時年產20萬片碳化硅單晶襯
近日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”期間，浙江大學特聘研究員、博士生導師任娜帶來”基于P型碳化硅襯底材料的結勢壘肖特基二極管“的主題報告。