“氮化鎵射頻電子器件與應用分會”上，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導體的技術創新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創新中心FLAB三代特色半導體工藝技術創新的新模式，包括硬件建設、軟件建設、開發體系、技術路線等。
“氮化鎵射頻電子器件與應用”技術分會上，香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人俞捷，小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師孫躍，中國科學技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創始人左成杰，西安電子科技大學教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導體有限公司研發總監張新川，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院博士劉濤，中國科學院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告
氮化鎵功率電子器件技術分會日程出爐，本屆分會將分為三個場次充分探討，敬請關注！
納微半導體今日發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規模數據中心。
作為IFWS的重要技術分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐！
作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學高通光學實驗室、高武半導體，小米通訊技術，匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心，中國科學技術大學、云塔電子，能訊高能半導體，中國科學院半導體研究所，九峰山實驗室，江南大學，中國科學院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。
德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠
遠山半導體提供的DFN封裝形式的Gan HEMT器件實現了1200V高耐壓，并且展現出了極低的界面電容和優良的熱阻 ，極快的開關速度，同時克服了氮化鎵器件容易發生的電流崩塌問題。測試結果顯示各項性能指標均達到行業領先水平，意味著其產品在性能、質量和可靠性方面具備優勢，有更強的市場競爭力。
10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已開始生產基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體。隨著會津工廠的投產，加上德州
遠山半導體最近發布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進半導體實驗室進行了詳盡的測試
當地時間9月11日，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功開發出全球首款300毫米功率氮化鎵（GaN）晶圓技術，并率先在
據報道，7月30日，香港科技園公司與麻省光子技術(香港)有限公司簽署合作協議，將于香港科學園內設立全香港首個第三代半導體氮化
2024年7月25日，由浙江大學、浙江大學杭州國際科創中心牽頭起草的團體標準T/CASAS 34202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子
近日，西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授課題組李祥東團隊在藍寶石基增強型e-GaN（氮化鎵）
天眼查顯示，大連理工大學氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應用專利公布，申請公布日為2024年3月26日，申請公布號為CN117761126A
進入21世紀以來，以氮化鎵、碳化硅、氧化鎵、金剛石為四大代表的第三代半導體材料開始初露頭角。
深圳大學材料學院劉新科課題組成功在氮化鎵單晶襯底上外延了具有p型導電特性的高質量連續的MoxRe1-xS2薄膜，制備了一個完全垂直的p-2D/GaN異質光電二極管。器件具有突出的光開關比（> 106）和極高的光探測率（6.13×1014），實現了紫外到可見、近紅外區域的寬光譜檢測。
這個問題促使香港科技大學和中國其他三所機構的16名研究人員組成的團隊不斷思考。經過多年努力，他們終于成功制造出一種晶體管，他們稱之為混合場效應晶體管（HyFET）。
GaN技術正處于一個充滿機遇的階段，其發展前景十分廣闊。盡管相較于硅或GaAs，GaN仍是一項相對年輕的技術，但其進步速度之快令人
太原理工大學周兵課題組和武漢大學袁超課題組合作，先后在國際權威期刊《Materials Characterization》和《Diamond & Related Materials》上，發表研究論文。