近日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶召開。期間，“分論壇二：氮化鎵及其他功率半導體技術及應用“上，浙江大學教授、杭州鎵仁半導體有限公司董事長張輝，帶來了“大尺寸高質量氧化鎵單晶材料進展”主題報告。
2月28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”，分論壇二：氮化鎵及其他功率半導體技術及應用”，圍繞氮化鎵、氧化鎵功率半導體技術及應用，氮化鎵、金剛石功率半導體技術及應用，氮化鎵、氧化鎵及金剛石功率半導體制造關鍵技術及裝備等熱點主題與方向深入分享探討。
近日，浙江大學集成電路學院柯徐剛研究員團隊，提出了一款工業級可量產、應用于大功率AI數據中心的基于第三代半導體氮化鎵的高效
2025年2月24日，按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經CASAS管理委員會投票通過1項硅襯底
2月26-28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。華南師范大學研究員王幸福受邀將出席論壇，并帶來《壓電電子學調控氮化鎵異質結電子氣及HEMT器件特性》的主題報告，敬請關注！
2月26-28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。杭州云鎵半導體科技有限公司器件研發經理李茂林受邀將出席論壇，并帶來《氮化鎵功率器件與工業級應用前景》的主題報告，敬請關注！
香港科技大學電子與計算機工程系陳敬教授課題組，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上報告了多項基于寬禁帶半導體氮化鎵，碳化硅的最新研究進展。研究成果覆蓋功率器件技術和新型器件技術.
在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）結溫高精度測試方面實現新進展，該研究提出的多波長激光瞬態熱反射（MWL-TTR）技術，成功實現亞微米級空間分辨、納秒級時間分辨的溝道溫度精準監測。
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展。
官員們正在確定哪些設備需要獲得出口至中國的許可。
英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領導者針對數據中心領域，開發了多系列分立和集成氮化鎵產品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。
今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導體第一股12月30日，英諾賽科
中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結束招股。
“氮化鎵功率電子器件技術III”的分會上，嘉賓們齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術進展與發展趨勢。
“氮化鎵功率電子器件技術II”分會上，嘉賓們帶來精彩報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。
據先導科技集團官微消息，日前，由先導科技集團旗下先導光電子事業部牽頭的安徽省科技創新攻堅計劃-氮化鎵藍光裝備的全鏈條國產
”氮化鎵功率電子器件技術 I“分會上，嘉賓們齊聚一堂，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。
清華大學羅毅院士課題組與安徽格恩半導體有限公司合作，通過深入研究GaN同質外延過程中的位錯控制、InGan/GaN多量子阱的應力調控以及腔面鍍膜技術，制備了高效的GaN藍光激光二極管。
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心王新強教授與北京大學電子顯微鏡實驗室王濤高級工程師探測到褶皺二維氮化鎵（GaN）的聲子行為。
11月28日，中國證監會國際合作司發布關于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發行上市備案通知書