氮化鎵與碳化硅技術(shù)憑借性能優(yōu)勢(shì)，正重塑電力電子、通信及新能源產(chǎn)業(yè)格局，未來(lái)將形成互補(bǔ)共存的應(yīng)用生態(tài)，推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高效、低碳方向轉(zhuǎn)型。?
2月27日，“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”在重慶山城國(guó)際會(huì)議中心盛大召開。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司 共同主辦，極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦，重慶大學(xué)、 重慶郵電大學(xué)、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司等單位協(xié)辦。?
28日精彩繼續(xù)，其中，“分論壇二：氮化鎵及其他功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用”，圍繞氮化鎵、氧化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用，氮化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用，氮化鎵、氧化鎵及金剛石功率半導(dǎo)體制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備等熱點(diǎn)主題與方向，來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高?？蒲性核爸髽I(yè)代表共同深入分享探討。
?
??
廈門大學(xué)特聘教授康俊勇，南京大學(xué)教授修向前，南京大學(xué)教授陳鵬，西南交通大學(xué)電氣工程學(xué)院教授馬紅波，湖南三安半導(dǎo)體高級(jí)研發(fā)經(jīng)理劉成聯(lián)袂主持了本次分論壇。
?
廈門大學(xué)特聘教授康俊勇
?
電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院王茁成博士做了“低功耗硅基氮化鎵功率器件新結(jié)構(gòu)”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展與成果。
?
南京大學(xué)教授陳鵬做了“高壓GaN基SBD功率器件研究進(jìn)展”的主題報(bào)告，分享了其課題組近年來(lái)通過(guò)研究GaN SBD的擊穿機(jī)制和器件工藝，研制超高壓/低開起的GaN SBD的有關(guān)成果。
?
天通銀廈新材料有限公司副總經(jīng)理兼CTO康森做了“大尺寸藍(lán)寶石晶圓技術(shù)進(jìn)展及其半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢(shì)”的主題報(bào)告，分享了大尺寸藍(lán)寶石晶圓在晶體生長(zhǎng)、加工工藝及缺陷控制方面的技術(shù)突破與其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用前景等內(nèi)容。
?
西南交通大學(xué)電氣工程學(xué)院教授馬紅波做了”基于GaN HEMT/SiC MOSFET的高頻、高效電能變換與應(yīng)用“的主題報(bào)告，結(jié)合其研究團(tuán)隊(duì)多年來(lái)在寬禁帶器件方面的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，面向數(shù)據(jù)中心、無(wú)線傳能、航空航天等領(lǐng)域，從變換架構(gòu)、軟開關(guān)拓?fù)洹⒖刂品椒ā?shù)字控制等方面介紹基于SiC MOSFET/GaN HEMT的高頻、高效電力電子變換器設(shè)計(jì)，并指出其中的設(shè)計(jì)關(guān)鍵和考量。
?
西安電子科技大學(xué)教授許晟瑞做了”氮化物材料外延與p溝器件“的主題報(bào)告，分享了最新研究成果與進(jìn)展。
?
浙江大學(xué)教授、杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張輝做了“大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進(jìn)展”的主題報(bào)告，介紹了相關(guān)研究進(jìn)展與趨勢(shì)。
大連理工大學(xué)副教授張赫之做了”氧化鎵外延生長(zhǎng)中擴(kuò)展缺陷形成機(jī)制及其對(duì)功率器件影響“的主題報(bào)告，分享相關(guān)研究成果與進(jìn)展，涉及β-Ga2O3厚膜外延中缺陷擴(kuò)展的研究等內(nèi)容。
?
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副研究員鐘耀宗做了”基于p-GaN二次外延的增強(qiáng)型HEMT材料與器件研究“的主題報(bào)告，分享了最新研究成果與進(jìn)展。
?
重慶郵電大學(xué)講師華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司博士后、主任工程師高升做了”GaN功率器件關(guān)鍵技術(shù)與失效模式“的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展與成果。
?
湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司高級(jí)研發(fā)經(jīng)理劉成做了”應(yīng)用于高效能源及智能終端的GaN功率電子器件技術(shù)及挑戰(zhàn)“的主題報(bào)告，分享了相關(guān)趨勢(shì)進(jìn)展。
?
杭州云鎵半導(dǎo)體科技有限公司器件研發(fā)經(jīng)理李茂林做了”氮化鎵功率器件與工業(yè)級(jí)應(yīng)用前景“的主題報(bào)告，新能源領(lǐng)域，如微型逆變器和OBC等應(yīng)用中，GaN器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新以及驅(qū)動(dòng)集成技術(shù)的引入，將推動(dòng)GaN功率器件挖掘出更大的性能與成本潛力。報(bào)告分享相關(guān)技術(shù)及應(yīng)用趨勢(shì)。
?
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院博士后葛磊做了”金剛石CVD生長(zhǎng)及光電器件制備研究進(jìn)展“的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究成果進(jìn)展。
?
北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司副總裁蔣繼樂(lè)做了”金剛石材料精密拋光技術(shù)的研究進(jìn)展“的主題報(bào)告，分享了最新研究進(jìn)展。
?
南京大學(xué)教授修向前做了”大尺寸氮化鎵襯底技術(shù)研究“的主題報(bào)告，介紹了相關(guān)研究成果進(jìn)展。
?
南方科技大學(xué)研究教授汪青做了“GaN功率集成器件和感算一體傳感系統(tǒng)研究”的主題報(bào)告，分享相關(guān)研究成果與進(jìn)展，涉及首次實(shí)現(xiàn)基于電荷捕獲層（Charge Trapping Layer，CTL）技術(shù)的單片集成反相器。并聚焦于CMOS集成電路中必不可少的單元 GaN p-FET 器件存在的歐姆接觸和柵極刻蝕等關(guān)鍵問(wèn)題，還介紹GaN氣體傳感器方面的工作，重點(diǎn)探討 GaN 感算一體傳感系統(tǒng)研究及其潛在應(yīng)用。
?
松山湖材料實(shí)驗(yàn)室工程師王方洲做了“基于Schottky-MIS級(jí)聯(lián)陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的低功耗GaN橫向功率二極管研究”的主題報(bào)告，分享相關(guān)研究成果與進(jìn)展，涉及Schottky-MIS級(jí)聯(lián)陽(yáng)極結(jié)構(gòu)等內(nèi)容。
?
中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員游天桂做了“基于離子束剝離與轉(zhuǎn)移技術(shù)的寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)集成材料與器件”的主題報(bào)告，分享相關(guān)研究成果與進(jìn)展，研究結(jié)果表明離子束剝離與轉(zhuǎn)移技術(shù)可以發(fā)展成為制備寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)集成材料的通用技術(shù)。
?
西安電子科技大學(xué)副教授付裕做了“硅終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)管研究進(jìn)展”的主題報(bào)告，重點(diǎn)介紹硅終端金剛石界面機(jī)理、制備工藝、及其場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用等方面的研究進(jìn)展，以期推動(dòng)金剛石半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展。
?
福州大學(xué)副教授許曉銳做了“高壓低導(dǎo)通氧化鎵功率二極管器件設(shè)計(jì)與關(guān)鍵工藝研究”的主題報(bào)告，圍繞有效p型摻雜的缺乏導(dǎo)致器件終端電場(chǎng)調(diào)控難、p型氧化鎳（p-NiO）空穴濃度高溫易退化、增強(qiáng)型MOSFET所需的電流阻擋層（CBL）缺陷密度高等關(guān)鍵問(wèn)題，分享了相關(guān)研究進(jìn)展與成果。
?
重慶師范大學(xué)蔣佶利做了“超寬禁帶氧化鎵基日盲深紫外光電探測(cè)器”的主題報(bào)告，重點(diǎn)介紹了相關(guān)研究成果。涉及高透明Ga2O3薄膜的制備與改性；日盲深紫外探測(cè)器件設(shè)計(jì)與性能優(yōu)化；器件概念性應(yīng)用開發(fā)。
?
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體微電子研究所助理研究員姚毅旭做了“深能級(jí)瞬態(tài)譜在GaN基異質(zhì)結(jié)功率器件中的應(yīng)用”的主題報(bào)告，深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）技術(shù)作為寬禁帶半導(dǎo)體器件缺陷表征的核心方法，為解決GaN基HEMT/MIS-HEMT等器件的可靠性難題提供了關(guān)鍵支撐。報(bào)告詳細(xì)介紹了相關(guān)成果。
?
論壇期間，西安電子科技大學(xué)教授許晟瑞主持下，圍繞著“900V及以上GaN器件應(yīng)用趨勢(shì)和技術(shù)發(fā)展方向、?650V-900V大功率應(yīng)用場(chǎng)景下GaN與SiC器件的競(jìng)爭(zhēng)及GaN器件的競(jìng)爭(zhēng)力”、“藍(lán)寶石，硅，以及氮化鎵 等襯底的氮化鎵器件，未來(lái)誰(shuí)更有王者風(fēng)范？?”、“30V及以下低壓器件的應(yīng)用前景及技術(shù)難點(diǎn)”、“第三代半導(dǎo)體電力電子器件可靠性判斷，以及實(shí)際應(yīng)用路徑”、“基于12寸大尺寸Si基先進(jìn)制程產(chǎn)線GaN器件技術(shù)的優(yōu)勢(shì)”、“商用GaN功率器件后續(xù)的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)”等主題，南京大學(xué)教授陳鵬、三安半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)理劉成、西南大學(xué)教授馬紅波、聚能創(chuàng)芯總經(jīng)理袁理等嘉賓與現(xiàn)場(chǎng)觀眾，展開探討，分享交流，觀點(diǎn)碰撞，現(xiàn)場(chǎng)氣氛熱烈。
?（論壇內(nèi)容詳情，敬請(qǐng)關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體公號(hào)）