2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于西安召開。西安電子科技大學微電子學院在讀博士研究生王逸飛
GaN基HEMTs因其在高壓、大功率、高溫等領域的應用前景而備受關注。由于GaN的寬禁帶和高擊穿場強，Gan基器件可以提供更快的開關速
據悉，近日，《科學通報》以《模塊化局域元素供應技術批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物》為題，在線發表了松山湖材料實驗室/北
2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于西安召開。中國電子科技集團公司第十三研究所重點實驗室副主
近幾年新能源車的爆發，極大地促進了IGBT市場的發展。隨著全球電動車的銷量提升，新能源汽車的不斷普及，對于充電樁的需求日益增
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
第三屆紫外LED國際會議暨LED產業發展推進大會(中國長治)將于9月5-7日召開。本屆論壇由長治市人民政府、中關村半導體照明工程研發
近日，中國電科43所活性金屬釬焊（AMB）基板一體化封裝先進工藝實現了電路、布線、封裝等多項技術升級，相關技術指標達到國際先
第三代半導體產業技術戰略聯盟標準T/CASAS 021202X《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）閾值電壓測試方法》已完
【超38億元A輪股權融資創歷史】近日，安徽長飛先進半導體有限公司正式宣布完成超38億元A輪股權融資，融資規模創國內第三代半導體
隨著電力電子應用領域的不斷擴大和需求的增長，絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）作為功率電子器件的核心之一，是能源變換與傳輸的
近日，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目落地江蘇省無錫市高新區。據悉，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目利用同濟大學在晶
2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于7月26-28日在西安召開。
7月19-21日，由江蘇省工業和信息化廳、南京江北新區管理委員會主辦的2023世界半導體大會暨南京國際半導體博覽會，將亮相南京國際
2023年6月8日，元旭半導體天津生產基地開工活動于天津濱海高新區順利舉行。
近日，中國科大微電子學院兩篇論文入選第35屆功率半導體器件和集成電路國際會議（IEEE ISPSD，全稱：IEEE International Symposi
綠色低碳發展、萬物智能互聯成為全球共識，第三代半導體是推動新能源汽車、智能電網、先進制造、移動通信、新型顯示等產業創新發
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲做《第三代半導體產業發展戰略思考》主題綜述報告。
科學技術部黨組成員、副部長相里斌在開幕致辭中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網等領域有巨大的市場。科技部一直高度重視第三代半導體的技術創新和產業發展，從“十五”期間開始給予了長期持續支持，建立了從材料、器件到應用的第三代半導體全產業鏈創新能力。下一步還將與各地方溝通協作，加強統籌謀劃和技術布局，加強人才培養，加強國際合作，推動產業鏈各環節有機銜接，強化以企業為主體、產學研用協同的創新生態。
氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體材料廣泛用于信息化社會、人工智能、萬物互聯、現代農業、現代醫療、智能交通、國防