近日，同濟大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項目落地江蘇省無錫市高新區(qū)。

 

據(jù)悉，同濟大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項目利用同濟大學(xué)在晶體領(lǐng)域的技術(shù)成果、持續(xù)創(chuàng)新力和影響力，由同濟大學(xué)國家級創(chuàng)新技術(shù)團隊聯(lián)袂世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體單晶生長和加工裝備制造企業(yè)連城數(shù)控、半導(dǎo)體襯底片加工企業(yè)青島華芯在無錫高新區(qū)設(shè)立。

 

消息顯示，項目重點實施“氧化鎵晶體制造、裝備和工藝技術(shù)”“藍(lán)寶石晶體制造、裝備和工藝技術(shù)”和“磁光晶體制造、裝備和工藝技術(shù)”等“卡脖子”項目的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)“人工晶體生長”“精密光學(xué)加工”“檢測裝備與技術(shù)”等公共服務(wù)平臺，建立院士工作站，掛牌“同濟大學(xué)人工晶體研究院”等項目內(nèi)容。

 

氧化鎵是提升集成電路產(chǎn)業(yè)市場競爭力、實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)跨越式技術(shù)進(jìn)步的重要材料，正在逐漸成為半導(dǎo)體材料界一顆冉冉升起的新星，市場發(fā)展?jié)摿薮蟆４饲坝袛?shù)據(jù)顯示，到2030年，氧化鎵功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)15億美元。

 

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，未來，氧化鎵有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導(dǎo)體材料的代表，中國科學(xué)院院士郝躍進(jìn)一步提出，未來10年，氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件，會直接與碳化硅器件競爭。