中國科學院寧波材料技術與工程研究所（以下簡稱寧波材料所）張文瑞研究員、郭煒研究員長期招聘博士后，招聘方向為氧化物、氮化物等寬禁帶半導體材料與器件研究。

課題組專注培養(yǎng)具有科學創(chuàng)新精神的頂級專業(yè)人才，提供優(yōu)越的科研條件、優(yōu)厚的薪資待遇、廣闊的發(fā)展空間、多樣化的國際學術交流以及與知名企業(yè)交流合作的機會。現(xiàn)誠邀海內(nèi)外具有相關研究背景的青年才俊、優(yōu)秀學者加盟。感興趣者可將個人簡歷（含教育背景、本科及研究生期間成績、科研經(jīng)歷、發(fā)表論文等信息）發(fā)送至郵箱zhangwenrui@nimte.ac.cn（張老師）或guowei@nimte.ac.cn（郭老師），郵件主題請注明“申請寧波材料所寬禁帶半導體方向博士后+姓名”。

一、研究領域

1. 寬禁帶半導體外延與先進工藝研發(fā)

2. 半導體缺陷理論與表征技術、模擬與仿真分析

3. 鎵系寬禁帶功率電子器件設計與工藝

4. 高頻高功率先進封裝技術與可靠性測試

5. 紫外光電器件設計與系統(tǒng)集成應用

二、任職要求

1. 即將獲得/已獲得電子科學與工程、材料物理與化學、半導體物理等專業(yè)博士學位；

2. 有濃厚的科研興趣和自我驅(qū)動力，良好的學術基礎和英語讀寫能力；

3. 具備良好的團隊合作意識和溝通協(xié)調(diào)能力；

4. 有薄膜外延、器件制備和工藝開發(fā)相關經(jīng)驗者優(yōu)先。

三、博士后崗位設置、待遇及后續(xù)發(fā)展

四、博士后專項申報條件及有關支持標準

五、合作導師介紹

張文瑞，寧波材料所研究員，國家高層次青年人才。博士畢業(yè)于美國德州農(nóng)工大學，先后在美國布魯克海文和橡樹嶺國家實驗室從事博士后研究工作。長期從事氧化物半導體薄膜外延與微電子器件的設計研發(fā)，近年來著力提升氧化鎵等寬禁帶半導體薄膜的外延技術和載流子輸運調(diào)控能力，實現(xiàn)了氧化鎵薄膜的晶相調(diào)控、高效摻雜和高性能整流結設計，用于研發(fā)新一代功率電子器件與深紫外光電器件。已承擔國家高層次青年人才項目，國家自然科學基金、浙江省自然科學基金和寧波市科技創(chuàng)新團隊等項目，在Adv. Funct. Mater., ACS Nano, ACS Energy Lett., IEEE Electron Device Lett.和Appl. Phys. Lett.等學術期刊上發(fā)表論文100余篇，論文被引4000余次，H指數(shù)34，申請/授權發(fā)明專利10余項。

郭煒，寧波材料所研究員，博士生導師。本科畢業(yè)于上海交通大學，博士畢業(yè)于美國北卡羅來納州立大學，曾擔任全球最大的半導體設備供應商應用材料有限公司研發(fā)工程師，2016年加入中科院寧波材料所，先后任“特聘青年研究員”、副研究員、研究員。長期從事氮化物寬禁帶半導體材料與器件的研究。主持了國家自然科學基金區(qū)創(chuàng)聯(lián)合基金、面上、青年基金、科技部重點研發(fā)計劃、中科院科研儀器設備研制項目、浙江省杰青、寧波市重大專項等課題。在領域權威期刊上發(fā)表論文80余篇，引用2000余次、h因子24。近年來在AlN、AlGaN極性調(diào)控和紫外LED限閾特性研究、紫外輔助MOCVD設備開發(fā)、高耐壓GaN HEMT器件制備等領域取得了一系列領先成果。入選了中科院青年創(chuàng)新促進會并擔任青促會化材分會理事會委員，獲得了浙江省“錢江人才”、寧波市領軍人才、“3315創(chuàng)新團隊計劃”人才等稱號。

 （來源：蔻享學術）