2024年1月16日消息，據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“構(gòu)件、晶體管器件、功率器件及制造構(gòu)件的方法“，公開號(hào)CN117413365A，申請(qǐng)日期為2021年10月。

專利摘要顯示，提供了一種構(gòu)件，包括硅基襯底層[102]、過渡層[104]、氮化鎵緩沖層[106]、第一氮化鋁鎵阻擋層[110A]、第一p摻雜氮化鎵層[112A]，其中，氮化鎵緩沖層的一部分形成第一氮化鎵溝道層[108A]。所述構(gòu)件還包括第二氮化鎵溝道層[108B]、第二氮化鋁鎵阻擋層[110B]和第二p摻雜氮化鎵層[112B]。所述第二p摻雜氮化鎵層通過連接p摻雜氮化鎵部分連接到所述第一p摻雜氮化鎵層[120]。所述構(gòu)件還包括柵極觸點(diǎn)[114]、源極觸點(diǎn)[116]和漏極觸點(diǎn)[118]，其中，所述第一p摻雜氮化鎵溝道層設(shè)置在所述源極觸點(diǎn)與所述漏極觸點(diǎn)之間。所述構(gòu)件是一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其在不犧牲整體性能的情況下提高半導(dǎo)體器件的可靠性，并表現(xiàn)出增強(qiáng)的高壓操作能力。