據悉，近日，中國電科48所第三代半導體裝備研發取得重大突破，牽頭申報的“大尺寸超高真空分子束外延技術與裝備”項目，獲得國家科技部“高性能制造技術與重大裝備”重點專項立項。

分子束外延（MBE）裝備是先進材料與芯片制造的核心“母機”。48所立足國家所需、行業所趨、電科所能，聚焦離子束、分子束、電子束“三束”技術，不斷推動半導體裝備核心技術研發與產業化，相繼開發了單片4吋、6吋機型并實現應用，為研制大尺寸MBE裝備打下了堅實技術基礎。

該項目將由48所聯合國內高校、研究所及專業公司協同攻關，利用48所的技術優勢，充分發揮國家第三代半導體技術創新中心（湖南）平臺作用，奮力突破一批關鍵核心技術與工藝難題，為實現我國MBE技術和裝備的跨越式發展提供有力支撐。