?5月23日，2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD）在南京熹禾涵田酒店盛大啟幕。這場備受矚目的行業(yè)盛會，吸引了眾多業(yè)內(nèi)頂尖企業(yè)、專家學者及業(yè)界領袖齊聚一堂，共同探討功率半導體前沿技術與發(fā)展趨勢。上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”）總經(jīng)理王慶宇應邀出席，發(fā)表了題為“氮化鎵賦能未來：突破功率極限，引領能效革命”的主旨演講，深度解讀氮化鎵在能效領域的卓越優(yōu)勢。

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在大會開幕論壇演講中，王總指出，氮化鎵作為第三代半導體翹楚，憑借大禁帶寬度、高電子遷移率和良好熱導率等諸多優(yōu)異特性，在功率器件領域正展現(xiàn)出前所未有的巨大應用潛力。特別是在新能源汽車和AI數(shù)據(jù)中心等前沿領域，氮化鎵技術已成為實現(xiàn)電能高效轉(zhuǎn)換的關鍵突破口。作為國內(nèi)先進的化合物半導體晶圓代工企業(yè)，新微半導體依托自有的硅基氮化鎵技術平臺，成功開發(fā)出具有行業(yè)競爭力的晶圓制造解決方案。

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面對產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢，王總表示，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心和人形機器人等新興領域的蓬勃發(fā)展，市場對于功率器件能效的要求日益嚴苛，功率半導體正迎來革命性發(fā)展機遇。氮化鎵技術作為下一代功率器件的突破口，正呈現(xiàn)出高速增長的態(tài)勢。新微半導體將持續(xù)加大研發(fā)投入，推動氮化鎵技術創(chuàng)新與發(fā)展，助力行業(yè)邁向新的高度。