專利摘要顯示，一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，阻 隔 層形成在所述第一功函 數(shù)層的側(cè)壁上，第二功函 數(shù)層形成在阻隔層的側(cè) 壁上，阻隔層將第二功函 數(shù)層和第一功函數(shù)層相 隔離，第二功函數(shù)層中的 元素不易穿過阻隔層擴 散到第一功函數(shù)層中，因此第一晶體管和第二晶體管之間不易 出現(xiàn)電學參數(shù)失配(Mismatch)的問題，半導體結(jié)構(gòu)工作時，第 一功函數(shù)層能夠很好的對后續(xù)形成的第一晶體管進行閾值電 壓的調(diào)節(jié)，第二功函數(shù)層能夠很好的對后續(xù)形成的第二晶體管 進行閾值電壓的調(diào)節(jié)，有利于提高半導體結(jié)構(gòu)的電學性能。

天眼查資料顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本244000萬美元，實繳資本244000萬美元。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司共對外投資了4家企業(yè)，參與招投標項目119次，財產(chǎn)線索方面有商標信息147條，專利信息5000條，此外企業(yè)還擁有行政許可443個。