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杭州士蘭微電子取得半導體器件專利,控制了柵漏電容

發表于:2025-01-23 來源:半導體產業網 編輯:

國家知識產權局信息顯示,杭州士蘭微電子股份有限公司取得一項名為“半導體器件、半導體器件的元胞結構及掩模板”的專利,授權公告號CN 222356843 U,申請日期為2024年4月。

專利摘要顯示,本公開提供了一種半導體器件、半導體器件的元胞結構及掩模板,該半導體器件包括多個元胞,其中至少一個元胞包括第一控制柵部分和第二控制柵部分,第一控制柵部分和第二控制柵部分彼此分離第控制柵部分和第二控制柵部分通過第三控制柵部分連接,第一控制柵部分、第二控制柵部分和第三控制柵部分組成控制柵,第一控制柵部分和第二控制柵部分位于半導體器件的有源區,第三控制柵部分位于半導體器件的過渡區,過渡區位于有源區和半導體器件的終端區之間。該半導體器件通過控制第一控制柵部分與第二控制柵部分的寬度以及二者之間的距離,進而控制了柵漏電容。

天眼查資料顯示,杭州士蘭微電子股份有限公司,成立于1997年,位于杭州市,是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本166407.1845萬人民幣,實繳資本166407.1845萬人民幣。通過天眼查大數據分析,杭州士蘭微電子股份有限公司共對外投資了30家企業,參與招投標項目22次,知識產權方面有商標信息50條,專利信息1125條,此外企業還擁有行政許可242個。

 

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