?2024年11月19日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
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出席開幕式的領(lǐng)導(dǎo)嘉賓有中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)主任干勇，中國科學(xué)院院士、廈門大學(xué)黨委書記、教授張榮，中國科學(xué)院院士、浙大寧波理工學(xué)院校長、浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、教授楊德仁，中國工程院院士、清華大學(xué)教授羅毅，中國科學(xué)院外籍院士、瑞典皇家科學(xué)院及工程院兩院院士、瑞典德隆大學(xué)教授、南方科技大學(xué)講席教授Lars?SAMUELSON，工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處處長郭力力，工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處副處長朱邵歆，中國中小企業(yè)協(xié)會(huì)、國家發(fā)展改革委原氣候司巡視員謝極，科技部戰(zhàn)略規(guī)劃司原司長王曉方，國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟（ISA）聯(lián)合秘書長、科技部國際合作司原司長靳曉明，科技部資源配置與管理司原副司長、一級(jí)巡視員曹國英，工業(yè)與信息化部電子司原副司長季國平，國家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息科學(xué)部原副主任何杰，蘇州實(shí)驗(yàn)室副主任景震強(qiáng)，蘇州市科技局副局長劉俊，蘇州納米科技發(fā)展有限公司黨委書記、董事長張淑梅，美國光學(xué)學(xué)會(huì)院士、中美光電學(xué)會(huì)院士、臺(tái)灣清華大學(xué)榮譽(yù)講座教授劉容生，臺(tái)灣光電科技工業(yè)協(xié)進(jìn)會(huì)前執(zhí)行長羅懷家，美國?PowerAmerica?執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會(huì)主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席 Victor VELIADIS，華為技術(shù)日本株式會(huì)社大阪研究所高級(jí)首席專家Kimimori HAMADA，日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMA，英特爾研究院副總裁、英特爾中國研究院院長宋繼強(qiáng)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長、北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授沈波，聯(lián)盟副理事長、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副所長、研究員、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長徐科，中國科學(xué)院大學(xué)教授、中國科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院研究員、“十四五”國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”專項(xiàng)專家組組長樊仲維，華南師范大學(xué)校長楊中民，?中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所副所長林文雄，清華大學(xué)教授潘峰，西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進(jìn)成，香港科技大學(xué)首席教授陳敬，福州大學(xué)特聘教授、國際信息顯示學(xué)會(huì)（SID)中國區(qū)總裁嚴(yán)群，賽迪研究院集成電路研究所所長周峰，華潤微電子有限公司總裁李虹，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司總裁董博宇，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司副董事長梁瑤，杭州士蘭微電子股份有限公司副總經(jīng)理、教授級(jí)高工聞?dòng)老?，深圳匯川技術(shù)有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人柏子平，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司董事長王垚浩，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司董事長鄭清超，復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任張清純，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)委員吳玲，中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所原所長、研究員、半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任李晉閩。此外，還有眾多來自海內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的政府領(lǐng)導(dǎo)、知名專家、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)組織領(lǐng)導(dǎo)、投資機(jī)構(gòu)以及媒體朋友，近千人出席了開幕大會(huì)。圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用，深入探討交流最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，共議產(chǎn)業(yè)發(fā)展新未來。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長楊富華主持了開幕式環(huán)節(jié)。
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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長楊富華主持開幕式環(huán)節(jié)
培塑融合創(chuàng)新生態(tài)新思路 ?賦能產(chǎn)業(yè)升級(jí)進(jìn)程 ?
不同應(yīng)用的變革升級(jí)以及新興領(lǐng)域的拓展，帶來第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用的持續(xù)增長，帶動(dòng)更多應(yīng)用領(lǐng)域的更新?lián)Q代和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。產(chǎn)業(yè)鏈融通，以及創(chuàng)新生態(tài)構(gòu)建將有利于整體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新和良性循環(huán)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)和經(jīng)濟(jì)發(fā)展。
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中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)主任干勇為大會(huì)致辭
中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)主任干勇致辭時(shí)表示，隨著人工智能高算力需求爆發(fā)，新一代速度更快、功耗更低、集成度更高的半導(dǎo)體材料和器件成為滿足信息技術(shù)面向超高速、超大容量發(fā)展的必然選擇。全球正在經(jīng)歷新一輪電氣化進(jìn)程，交通運(yùn)輸、大算力設(shè)施等新興應(yīng)用的快速布局對(duì)更加高效、更加強(qiáng)勁的電能處理能力提出了迫切的需求，也成為下一代電力電子系統(tǒng)研發(fā)的新動(dòng)力。寬禁帶半導(dǎo)體與其他功能材料實(shí)現(xiàn)跨材料體系的異質(zhì)集成和功能融合，開發(fā)新型器件是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展趨勢。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全球化屬性是不可改變的，創(chuàng)新對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)尤為重要，加強(qiáng)技術(shù)研究和原始創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破，以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，同時(shí)要堅(jiān)持加強(qiáng)全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的協(xié)作，仍然是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要路徑。
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中國科學(xué)院院士、廈門大學(xué)黨委書記、教授張榮為大會(huì)致辭
半導(dǎo)體技術(shù)，作為現(xiàn)代科技的核心驅(qū)動(dòng)力之一，一直以來都在不斷革新和突破，備受全球關(guān)注，新的時(shí)代發(fā)展趨勢下，迎來了非常好的發(fā)展機(jī)遇。中國科學(xué)院院士、廈門大學(xué)黨委書記、教授張榮致辭時(shí)表示，當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，無論是在光電技術(shù)，還是在功率電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)方面都有著不可替代的作用，近些年發(fā)展也取得了長足的進(jìn)步。第三代半導(dǎo)體具有產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和科技創(chuàng)新融合的特點(diǎn)，可以在闖出融合新路的過程當(dāng)中做出更大的貢獻(xiàn)。希望來自各地的業(yè)界同仁通過論壇深入的交流碰撞，更好的找到未來前進(jìn)的方向，也為我國的產(chǎn)教融合，產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和科技創(chuàng)新的融合創(chuàng)造更好的條件。希望年輕的科技工作者和同學(xué)們通過論壇不斷的探討學(xué)習(xí)思考成長，更快的成長起來，撐起我們第三代半導(dǎo)體新的天空，共同書寫新的輝煌篇章。
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工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處處長郭力力為大會(huì)致辭
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蘇州實(shí)驗(yàn)室副主任景震強(qiáng)為大會(huì)致辭
新材料產(chǎn)業(yè)是戰(zhàn)略性基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)，必將成為未來高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石和先導(dǎo)。蘇州實(shí)驗(yàn)室副主任景震強(qiáng)致辭時(shí)表示，當(dāng)前，新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)革命深入發(fā)展，新材料的研發(fā)和應(yīng)用已經(jīng)成為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)經(jīng)濟(jì)增長，培育發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力的重要力量。第三代半導(dǎo)體材料具有獨(dú)特的優(yōu)勢，對(duì)于引領(lǐng)支撐信息產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展具有關(guān)鍵作用，全球科技界產(chǎn)業(yè)界都高度關(guān)注，競相布局?？萍紡?qiáng)國材料必須先行，蘇州實(shí)驗(yàn)室前瞻布局戰(zhàn)略性材料，承擔(dān)著建設(shè)全國材料科技創(chuàng)新高地和人才高地的重任。當(dāng)前，蘇州實(shí)驗(yàn)室正全力打造尖端人才聚集和科技體制改革兩個(gè)平臺(tái)，秉持開放合作的理念，將努力發(fā)揮材料領(lǐng)域科技攻關(guān)總平臺(tái)的作用，進(jìn)一步加強(qiáng)與國內(nèi)外科研機(jī)構(gòu)、高校、科技領(lǐng)軍企業(yè)之間的協(xié)同創(chuàng)新，構(gòu)建科學(xué)技術(shù)工程融通創(chuàng)新機(jī)制，力爭以材料科技突破引發(fā)產(chǎn)業(yè)變革，也歡迎海內(nèi)外優(yōu)秀人才有志之士加入一起共創(chuàng)美好未來。
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聯(lián)盟（CASA）9項(xiàng)SiC MOSFET功率器件測試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布
為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟在產(chǎn)業(yè)各界的關(guān)注和支持下，2021年起布局并持續(xù)啟動(dòng)了SiC MOSFET功率器件的系列標(biāo)準(zhǔn)制定工作，希望能夠業(yè)界建立起統(tǒng)一的產(chǎn)品可靠性評(píng)價(jià)及測試方法，樹立應(yīng)用市場信心，支撐新興市場開拓。開幕式上，舉行了9項(xiàng)SiC MOSFET功率器件測試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布儀式。
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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長，國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)委員吳玲
發(fā)布《2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展》
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2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展名單
2024年，第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展日新月異。在快速變化的浪潮中，為了更好的把握行業(yè)前沿、凸顯具有影響力和突破性的進(jìn)展，為行業(yè)發(fā)展提供清晰視角，激勵(lì)更多創(chuàng)新，大會(huì)程序委員會(huì)倡議，啟動(dòng)2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展評(píng)選活動(dòng)。截止11月10日通過自薦、推薦和公開信息整理等途徑，共收到備選技術(shù)39項(xiàng)，經(jīng)程序委員會(huì)投票、綜合評(píng)議，開幕式上，“6-8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵中高壓電力電子器件技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破”、“垂直注入鋁鎵氮基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備”“基于銦鎵氮紅光Micro-LED芯片的全彩顯示技術(shù)”等十大技術(shù)進(jìn)展正式揭曉。?
探新路 助力創(chuàng)新應(yīng)用新浪潮
新科技時(shí)代背景下，創(chuàng)新和技術(shù)挑戰(zhàn)持續(xù)推動(dòng)著第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究和應(yīng)用的發(fā)展進(jìn)程，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力，產(chǎn)業(yè)化水平不斷提升。技術(shù)的變革升級(jí)也將深刻影響未來產(chǎn)業(yè)的格局塑造。
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開幕大會(huì)主旨報(bào)告環(huán)節(jié)，共有九大國際重量級(jí)報(bào)告。中國科學(xué)院院士楊德仁，美國?PowerAmerica?執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024大會(huì)主席Victor VELIADIS，瑞典皇家科學(xué)院及工程院兩院院士、中國科學(xué)院外籍院士Lars?SAMUELSON，日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀樹，北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授沈波，華為技術(shù)日本株式會(huì)社大阪研究所高級(jí)首席專家濱田公守，西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進(jìn)成，華潤微電子總裁李虹等院士領(lǐng)銜的專家們，從產(chǎn)業(yè)、技術(shù)等多維度探討產(chǎn)業(yè)發(fā)展的未來，共議產(chǎn)業(yè)發(fā)展新篇章。山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛、香港科技大學(xué)首席教授陳敬、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員張韻聯(lián)袂主持了大會(huì)主旨報(bào)告環(huán)節(jié)。
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山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛
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中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員張韻
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香港科技大學(xué)首席教授陳敬
楊德仁
中國科學(xué)院院士、浙大寧波理工學(xué)院校長、浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、教授
《半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)》
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Victor VELIADIS
美國?PowerAmerica?執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會(huì)主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授??、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席
《加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展》
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平山秀樹
日本理化研究所平山量子光素子研究室主任
《用于病毒滅活的藍(lán)寶石生長230nm遠(yuǎn)紫外光功率模組的開發(fā)研究》
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沈波
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長、北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授
《基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件》
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濱田公守
華為技術(shù)日本株式會(huì)社大阪研究所高級(jí)首席專家
《最新的高性能SiC MOSFET技術(shù)趨勢》
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李虹
華潤微電子有限公司總裁
《融通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈 構(gòu)建應(yīng)用創(chuàng)新生態(tài)圈》
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董博宇
北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司總裁
《同芯共贏，以裝備創(chuàng)新推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展》
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Lars?SAMUELSON
瑞典皇家科學(xué)院及工程院兩院院士、中國科學(xué)院外籍院士、瑞典德隆大學(xué)教授、南方科技大學(xué)講席教授
《實(shí)現(xiàn)超小型全氮化微型LED的納米級(jí)材料科學(xué)》
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張進(jìn)成
西安電子科技大學(xué)副校長、教授
《高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進(jìn)展》?
半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)具有研發(fā)投入大、周期長，技術(shù)難度大、門檻高，全球市場充分競爭，頭部企業(yè)國際壟斷嚴(yán)重等特點(diǎn)。從半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)來看，也面臨著產(chǎn)品水平處于中低端，先進(jìn)、高端半導(dǎo)體材料嚴(yán)重依賴進(jìn)口，企業(yè)規(guī)模較小，半導(dǎo)體材料的生長、加工設(shè)備缺乏，半導(dǎo)體材料的測試設(shè)備幾乎空白等挑戰(zhàn)。專家表示，盡管技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)步很快速，距離依然在。包括氮化物寬禁代半導(dǎo)體的材料和器件研究依然面臨一系列關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，需繼續(xù)開展深入、系統(tǒng)的研究工作。
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開幕大會(huì)高峰對(duì)話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授沈波主持下，華潤微電子總裁李虹，揚(yáng)杰電子副董事長梁瑤，士蘭微電子副總經(jīng)理聞?dòng)老?，匯川技術(shù)聯(lián)合創(chuàng)始人柏子平，南砂晶圓董事長王垚浩等頭部企業(yè)帶頭人、實(shí)力派專家，圍繞“碳化硅從6英寸逐漸向8英寸轉(zhuǎn)化的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢”、“功率器件應(yīng)用市場需求釋放”、“產(chǎn)業(yè)生態(tài)優(yōu)化”等當(dāng)前產(chǎn)業(yè)企業(yè)發(fā)展的熱點(diǎn)重要前沿話題，前瞻與務(wù)實(shí)相結(jié)合，面對(duì)面對(duì)話探討，現(xiàn)場碰撞出熱烈火花。
本屆論壇為期三天，除了重量級(jí)全天開幕大會(huì)，19-21日精彩將持續(xù)展開。共設(shè)有16場熱點(diǎn)主題技術(shù)分論壇、200余個(gè)報(bào)告、5場熱點(diǎn)產(chǎn)業(yè)峰會(huì)、4場強(qiáng)芯沙龍會(huì)客廳主題對(duì)話，還有多場衛(wèi)星活動(dòng)，匯聚全球頂級(jí)精英，技術(shù)與產(chǎn)業(yè)并舉，全面覆蓋半導(dǎo)體照明和第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的前沿?zé)狳c(diǎn)、技術(shù)應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)趨勢。
論壇同期，第六屆先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS），全鏈條聚焦第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。論壇期間設(shè)有POSTER論文交流、現(xiàn)場抽獎(jiǎng)等精彩紛呈的活動(dòng)，現(xiàn)場氛圍非常熱烈。敬請關(guān)注！
（論壇內(nèi)容詳情，敬請關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體公號(hào)）