國家知識產(chǎn)權局信息顯示，杭州鎵仁半導體有限公司申請一項名為“一種氧化鎵單晶襯底拋光片的劃片保護層結構及其劃片方法”的專利，公開號CN 118752386 A，申請日期為2024年8月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種氧化鎵單晶襯底拋光片的劃片保護層結構及其劃片方法，屬于氧化鎵單晶襯底拋光片加工技術領域。本發(fā)明的劃片保護層結構由下到上依次包括層疊設置的斜坡夾具、載臺、第二軟質保護層、氧化鎵Wafer、第一軟質保護層和硬質保護層，所述斜坡夾具保證沿氧化鎵Wafer(010)晶面方向的切割道呈斜坡角度切割。本發(fā)明中，第一軟質保護層和第二軟質保護層的作用是避免拋光Wafer的表面免受硬物劃傷和冷卻介質污染，硬質保護層的作用是抵消一部分劃片過程中砂輪對(100)易解理晶面的法向作用力；斜坡夾具會進一步分解砂輪施加給(100)晶面的法向作用力，從而減少切割道周邊Wafer解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生。本發(fā)明的劃片方法切割速度快，可以實現(xiàn)拋光Wafer直接進行劃片，且不產(chǎn)生Wafer表面的劃傷和污染等缺陷。