英諾賽科(02577.HK)公告，公司發(fā)布了自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，該款產(chǎn)品憑藉寬禁帶特性，在高壓高頻場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)顯著，具備零
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍
期待與您攜手，共同迎接化合物半導(dǎo)體行業(yè)的全新機(jī)遇與挑戰(zhàn)。讓我們相約2025年4月23-25日·武漢光谷科技會(huì)展中心，共同見證盛會(huì)的精彩綻放！
英諾賽科作為全球第三代半導(dǎo)體氮化鎵的領(lǐng)導(dǎo)者針對(duì)數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，開發(fā)了多系列分立和集成氮化鎵產(chǎn)品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費(fèi)。
今天上午9時(shí)30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導(dǎo)體第一股12月30日，英諾賽科
中國(guó)氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動(dòng)招股，并將于2024年12月23日結(jié)束招股。
11月28日，中國(guó)證監(jiān)會(huì)國(guó)際合作司發(fā)布關(guān)于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga
智能駕駛時(shí)代下第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)進(jìn)步給電動(dòng)車電驅(qū)電控系統(tǒng)和電源系統(tǒng)帶來的新的技術(shù)進(jìn)展。
諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司氮化鎵項(xiàng)目正在快馬加鞭推進(jìn)，目前主體廠房施工已完成，計(jì)劃于今年底試產(chǎn)，滿產(chǎn)后有望實(shí)現(xiàn)年銷售收入100億元。
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