作為新型的寬禁帶半導體材料，氧化鎵（Ga2O3）由于自身的優異性能，憑借其比第三代半導體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測、高頻功率器件等領域吸引了越來越多的關注和研究。
半導體產業網獲悉：近日，國家第三代半導體技術創新中心（山西）推進會在太原第一實驗室召開，山西省政府、太原市政府、長治市政
據悉，近日，山西省副省長于英杰在太原第一實驗室主持召開國家第三代半導體技術創新中心（山西）推進會。
強芯沙龍，第三代半導體產業發展策略沙龍（碳化硅專場）即將開始！
以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體功率芯片和器件，以其高壓、高頻、高溫、高速的優良特性，能夠大幅提升各類電力電子設備的
長沙高新區是全國唯一實現CPU、GPU、DSP三大芯片設計國產自主的園區，擁有國家第三代半導體技術創新中心（湖南）、湖南省集成電路裝備創新中心以及湖南三安、北京智芯、威勝信息共建的碳化硅聯合實驗室等諸多創新平臺。相繼引進了湖南三安、中電科48所（楚微半導體）、歐智通、金博股份等行業龍頭。其中，湖南三安建設了全球第3條、全國第1條第三代半導體全產業鏈。
4月27日，佛山市國星光電股份有限公司發布公告稱，公司于近日收到國家知識產權局頒發的9項發明專利證書，其中6項涉及Mini/Micro
高新區管委會與位于臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項目推進會，就第三代半導體六英寸氮化鎵項目推進開展“云洽談”。這個亞太地區半導體設備商的領頭羊即將把16億元的項目放到漓東這片熱土上。
合肥首個第三代半導體產業項目！世紀金光6英寸碳化硅項目正式落地
4月8日，濟南槐蔭經濟開發區舉行2020年重點招商引資項目簽約儀式，中鴻新晶第三代半導體產業集群項目落地濟南。 濟南槐蔭
第三代半導體產業技術研究院是總投資25億元的博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目快速推進的又一大重要舉措，該項目已于本月3日在2020年一季度重大項目集中開竣工活動期間順利開工。