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自半導體誕生以來，半導體材料便不斷升級。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電

集微網(wǎng)報道 4月19日-21日，2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)大會在武漢光谷舉行。在開幕式上，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)

EDA貫穿集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)設計、制造、封測等各個環(huán)節(jié)，在芯片產(chǎn)業(yè)中不可或缺，不同應用場景下器件結(jié)構(gòu)性、設計流程、仿真驗證

2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術(shù)發(fā)展論壇（CASICON 2023）尊敬的各有關(guān)單位：第三代半導體是實現(xiàn)雙碳目標、東數(shù)西

3月27日上午，市重點工程泰科天潤總部項目舉行開工奠基儀式。泰科天潤總部項目位于中關(guān)村順義園第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地，規(guī)劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設。項目建成后，將有效帶動順義區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

3月15日，火炬工業(yè)集團與深圳愛科思達科技有限公司（下稱愛科思達）舉行智能電源設備研發(fā)制造基地項目簽約儀式。愛科思達公司成

提前布局、抓住先機，北京經(jīng)開區(qū)搶占第三代半導體制高點

智能駕駛時代下第三代半導體材料的技術(shù)進步給電動車電驅(qū)電控系統(tǒng)和電源系統(tǒng)帶來的新的技術(shù)進展。

第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬

2月24日，2021年度湖南省科學技術(shù)獎勵大會召開。會議表彰了2021年度湖南省科學技術(shù)獎，共有授獎項目（團隊、人選）293項，其中杰

?第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）通過在全球范圍內(nèi)集成和共享創(chuàng)新資源，構(gòu)建以市場為牽引，研發(fā)、產(chǎn)業(yè)、資本深度融合

第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬

作為第三代半導體應用的第一個突破口，半導體照明過去近20年的發(fā)展是由核心技術(shù)的不斷進步和突破帶動，邊開花邊結(jié)果，開啟了一個

由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟及其他12家行業(yè)組織聯(lián)合主辦的2023年第二屆先進半導體領域產(chǎn)教融合人才發(fā)展論壇（第八屆國際

2023年2月7-10日，開年盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。

2023年2月10日，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利閉幕。

以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的

律回春暉暖，萬象始更新。被視為全球第三代半導體行業(yè)風向標的第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論

2月8日，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在蘇州盛大開幕。在這場被視為全球第三

2022年，全球新冠肺炎疫情此消彼長，俄烏沖突導致地緣政治持續(xù)惡化，中美戰(zhàn)略博弈對抗升級，宏觀經(jīng)濟趨緩，消費市場疲軟，供需關(guān)