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在5月28日舉辦的2023中關(guān)村論壇平行論壇北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇上，北京市順義區(qū)面向全球推介第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)

與第一代半導(dǎo)體（如硅、鍺）和第二代半導(dǎo)體（如砷化鎵、銻化銦）材料相比，以氧化鋅（ZnO）、氮化鎵（GaN）、硫化鎘（CdS）、碳

歷時一年半，遵循第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟CASAS技術(shù)報告制定流程，經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)起草小組會議討論、廣泛征求意見等流程，技

5月19日，保定第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院（以下簡稱研究院）在保定市召開籌委會暨第一屆管理委員會第一次會議，會議的召開標(biāo)志

2023年經(jīng)濟復(fù)蘇力度逐月加快，消費增速回升，制造業(yè)投資、基礎(chǔ)設(shè)施投資均保持較高增速，經(jīng)濟發(fā)展逐步向高端制造轉(zhuǎn)型，伴隨著在新

近日，2023中國（寧波）第四屆第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在寧波國際會議中心舉行，本次論壇通過深入研討半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用發(fā)展趨勢，

自半導(dǎo)體誕生以來，半導(dǎo)體材料便不斷升級。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電

集微網(wǎng)報道 4月19日-21日，2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會在武漢光谷舉行。在開幕式上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)

EDA貫穿集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)設(shè)計、制造、封測等各個環(huán)節(jié)，在芯片產(chǎn)業(yè)中不可或缺，不同應(yīng)用場景下器件結(jié)構(gòu)性、設(shè)計流程、仿真驗證

2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇（CASICON 2023）尊敬的各有關(guān)單位：第三代半導(dǎo)體是實現(xiàn)雙碳目標(biāo)、東數(shù)西

3月27日上午，市重點工程泰科天潤總部項目舉行開工奠基儀式。泰科天潤總部項目位于中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，規(guī)劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設(shè)。項目建成后，將有效帶動順義區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

3月15日，火炬工業(yè)集團與深圳愛科思達科技有限公司（下稱愛科思達）舉行智能電源設(shè)備研發(fā)制造基地項目簽約儀式。愛科思達公司成

提前布局、抓住先機，北京經(jīng)開區(qū)搶占第三代半導(dǎo)體制高點

智能駕駛時代下第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)進步給電動車電驅(qū)電控系統(tǒng)和電源系統(tǒng)帶來的新的技術(shù)進展。

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬

2月24日，2021年度湖南省科學(xué)技術(shù)獎勵大會召開。會議表彰了2021年度湖南省科學(xué)技術(shù)獎，共有授獎項目（團隊、人選）293項，其中杰

?第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）通過在全球范圍內(nèi)集成和共享創(chuàng)新資源，構(gòu)建以市場為牽引，研發(fā)、產(chǎn)業(yè)、資本深度融合

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬

作為第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的第一個突破口，半導(dǎo)體照明過去近20年的發(fā)展是由核心技術(shù)的不斷進步和突破帶動，邊開花邊結(jié)果，開啟了一個

由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟及其他12家行業(yè)組織聯(lián)合主辦的2023年第二屆先進半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)教融合人才發(fā)展論壇（第八屆國際