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PowerAmerica執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官Victor Veliadis將出席論壇并做大會報告，分享“加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進程”，并將在專題技術(shù)分會上，繼續(xù)分享“在硅晶圓廠中制造SiC”的研究成果。

中電四公司成功中標北京天科合達半導體股份有限公司“第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設二期項目（1#生產(chǎn)廠房等12項）”，中標金額：1159022898.60元。

天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法，公開號 CN2

9月5日，中國電科在官微透露，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術(shù)再次獲得突破。據(jù)悉，此次全新升級的8英寸碳化

國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領域的首次突破。

導體項目、安力科技第三代半導體及大硅片襯底研磨液項目、全芯微電子半導體高端設備研發(fā)制造基地項目、遼寧恩微芯片封裝測試項目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化鋁項目，日本航空電子高端電子元器件項目、露笑科技第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目和大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心項目迎來新進展。

天眼查顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司近日取得一項名為一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底的專利，授

業(yè)內(nèi)人士表示，預計未來兩年中國碳化硅（SiC）芯片價格將下降高達30%。

7月25日，北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)（北京亦莊）碳化硅功率芯片IDM企業(yè)北京芯合半導體有限公司（以下簡稱芯合半導體）發(fā)布自主研發(fā)生產(chǎn)

5月31日，歐盟委員會批準意大利政府對意法半導體總計20億歐元的補貼計劃，用于一項總投資50億歐元的碳化硅微芯片制造工廠。這是

6月22日-23日，“新一代半導體晶體技術(shù)及應用大會在濟南召開。 “碳化硅晶體技術(shù)及其應用”平行論壇上，實力派嘉賓代表們深入研討，分享相關技術(shù)最新研究成果，探討發(fā)展趨勢與前沿，觀點交互，碰撞激發(fā)新的思路，共同促進產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展。

年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓的長飛先進武漢基地正式迎來主體結(jié)構(gòu)封頂?shù)年P鍵時刻！

合盛硅業(yè)董事&合盛新材料總經(jīng)理浩瀚表示,合盛新材從2018年開始正式進軍碳化硅產(chǎn)業(yè),目前公司已完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶體生長、襯底加工以及芯片外延等全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術(shù),突破關鍵材料(多孔石墨、涂層材料)和裝備的技術(shù)壁壘,6英寸襯底和外延片已得到國內(nèi)多家下游器件客戶的驗證,8英寸襯底研發(fā)進展順利。

在本月7日的中國汽車重慶論壇上，比亞迪品牌及公關處總經(jīng)理李云飛表示，比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業(yè)最大的工廠。李云飛在訪

碳化硅功率器件具備優(yōu)越的耐高壓、耐高溫、低損耗等特性，解決了傳統(tǒng)硅基器件難以滿足的性能需求，受到市場廣泛歡迎。在過去1年多的時間里，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了快速發(fā)展。

意法半導體（簡稱 ST）與吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。

近日，泰科天潤披露了最新6英寸SiC電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)境影響報告表。文件顯示，泰科天潤6英寸碳化硅電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項

2024年4月8-11日，國內(nèi)化合物半導體領域規(guī)模最大、規(guī)格最高的標桿性展會2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會將在武

科友半導體官微消息，2024年3月27日，科友半導體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展八英寸碳化硅完美籽晶的項目合作。

長江日報3月26日訊（記者 李琴 通訊員 張希為）激光飛旋，智能化生產(chǎn)線上，一片碳化硅晶圓完成了切割，崩邊尺寸在5微米以內(nèi)，達