5月28日，位于湖北光谷科學島的長飛先進武漢基地投產，其首片6英寸碳化硅晶圓下線。
據報道，日前 ，新加坡科技研究局（下簡稱A-STAR）推出全球首個工業級200毫米碳化硅開放研發生產線。A-STAR是新加坡政府下屬的主
深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）遞交上市申請
浙江瀚薪芯昊半導體有限公司在浙江麗水投資建設的“新建碳化硅封測建設項目”主體結構今日（5月27日）正式封頂。
碳化硅（SiC）芯片目前已在新能源汽車、雷達基站、5G通訊、智能電網等眾多前沿領域展現出極為廣闊的應用前景，成為推動這些行業
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。東南大學副教授魏家行將受邀出席會議，并帶來《碳化硅功率MOSFET關鍵技術新進展》的主題報告，報告將從產品結構、制造工藝、可靠性、典型應用等方面出發，介紹當下SiC功率MOSFET器件關鍵技術的最新進展，并對未來的發展趨勢做出展望，敬請關注！
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。復旦大學上海碳化硅中心副主任劉盼將受邀出席會議，并帶來《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究》的主題報告，將分享最新研究進展，敬請關注！
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導體研究所測試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究》的大會報告，分享最新研究成果，敬請關注！
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術的領導者，始終以卓越
近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域
天眼查顯示，泰科天潤半導體科技(北京)有限公司一種超結快恢復平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專利公布，申請公布日為2025年3月7
近日，清純半導體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ
納微半導體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環氧樹脂灌封技術及納微獨家的溝槽輔助平面柵碳化硅MOSFET技術，經過嚴格
近日，致瞻科技與歐洲行業頭部企業正式簽署長期保障供貨協議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術和液冷超充系統集成能力，成為該客
近期，全國建設項目環境信息公示平臺發布了河北同光科技發展有限公司年產7萬片碳化硅單晶襯底項目竣工環境保護驗收公示。該項目
天眼查顯示，湖南三安半導體有限責任公司碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件專利公布，申請公布日為2024年10月18日，申
國家知識產權局信息顯示，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司申請一項名為一種用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及其應用的專利，
4月10日，意法半導體官網宣布 重塑制造布局和調整全球成本基礎 計劃。預計在未來3年，重點關注300mm 硅、200mm 碳化硅的先進制造
國家知識產權局信息顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司申請一項名為一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的專利
4月8日，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司正式向港交所遞交上市申請，中金公司為其保薦機構，港股有望迎來一家全球碳化硅外