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據(jù)報(bào)道，日前 ，新加坡科技研究局（下簡(jiǎn)稱A-STAR）推出全球首個(gè)工業(yè)級(jí)200毫米碳化硅開(kāi)放研發(fā)生產(chǎn)線。A-STAR是新加坡政府下屬的主

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”）遞交上市申請(qǐng)

浙江瀚薪芯昊半導(dǎo)體有限公司在浙江麗水投資建設(shè)的“新建碳化硅封測(cè)建設(shè)項(xiàng)目”主體結(jié)構(gòu)今日（5月27日）正式封頂。

碳化硅（SiC）芯片目前已在新能源汽車、雷達(dá)基站、5G通訊、智能電網(wǎng)等眾多前沿領(lǐng)域展現(xiàn)出極為廣闊的應(yīng)用前景，成為推動(dòng)這些行業(yè)

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。東南大學(xué)副教授魏家行將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展》的主題報(bào)告，報(bào)告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā)，介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展，并對(duì)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)做出展望，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅中心副主任劉盼將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所測(cè)試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來(lái)《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究》的大會(huì)報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，始終以卓越

近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域

天眼查顯示，泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月7

近日，清純半導(dǎo)體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片（型號(hào)：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ

納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹(shù)脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的溝槽輔助平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過(guò)嚴(yán)格

近日，致瞻科技與歐洲行業(yè)頭部企業(yè)正式簽署長(zhǎng)期保障供貨協(xié)議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術(shù)和液冷超充系統(tǒng)集成能力，成為該客

近期，全國(guó)建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境信息公示平臺(tái)發(fā)布了河北同光科技發(fā)展有限公司年產(chǎn)7萬(wàn)片碳化硅單晶襯底項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收公示。該項(xiàng)目

天眼查顯示，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年10月18日，申

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種用于PVT法生長(zhǎng)碳化硅單晶的裝料裝置及其應(yīng)用的專利，

4月10日，意法半導(dǎo)體官網(wǎng)宣布 重塑制造布局和調(diào)整全球成本基礎(chǔ) 計(jì)劃。預(yù)計(jì)在未來(lái)3年，重點(diǎn)關(guān)注300mm 硅、200mm 碳化硅的先進(jìn)制造

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，瀚天天成電子科技（廈門(mén)）股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的專利

4月8日，瀚天天成電子科技（廈門(mén)）股份有限公司正式向港交所遞交上市申請(qǐng)，中金公司為其保薦機(jī)構(gòu)，港股有望迎來(lái)一家全球碳化硅外

2025年開(kāi)局，中國(guó)新能源汽車市場(chǎng)延續(xù)了此前的強(qiáng)勁勢(shì)頭。1-2月產(chǎn)銷分別完成190.3萬(wàn)輛和183.5萬(wàn)輛，同比增速達(dá)52%，滲透率攀升至41