5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國聯萬眾半導體科技有限公司總經理助理王川寶將受邀出席論壇，并帶來《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術》的大會報告，
近日，電科芯片所屬西南設計牽頭制定的國家標準《半導體集成電路-射頻發射器/接收器測試方法》正式實施。該標準規定了半導體集成
作為中國半導體測試領域的標桿企業，南京派格測控科技有限公司憑借其X116射頻測試機和X540毫米波測試機兩款王牌產品，成為展會焦點
近日，九峰山實驗室科研團隊在全球首次實現8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前
國家知識產權局信息顯示，北京北方華創微電子裝備有限公司申請一項名為工藝腔室及半導體工藝設備的專利，公開號 CN 119495543 A
2028 年全球移動終端射頻前端市場將達到 269 億美元，年均增長率約為 5.8%。
2024年光谷招商引資活力迸發，全年億元以上簽約項目超百個，進展如何，向光谷人報告。敏聲打造國內射頻MEMS頭部武漢敏聲是國內射
當地時間1月16日，電源、汽車和物聯網半導體領域的領導者英飛凌科技股份公司宣布成立一個新的業務部門，將現有的傳感器和射頻（R
唐晶量子化合物半導體外延片研發和生產項目將扭轉化合物半導體激光器外延片長期依賴進口的局面，助力下游半導體激光器、射頻芯片等國產化。
“氮化鎵射頻電子器件與應用分會”上，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導體的技術創新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創新中心FLAB三代特色半導體工藝技術創新的新模式，包括硬件建設、軟件建設、開發體系、技術路線等。
“氮化鎵射頻電子器件與應用”技術分會上，香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人俞捷，小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師孫躍，中國科學技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創始人左成杰，西安電子科技大學教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導體有限公司研發總監張新川，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院博士劉濤，中國科學院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告
西安電子科技大學副校長、教授張進成將出席論壇，并將帶來《高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展》的大會報告。
作為IFWS的重要技術分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐！
作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學高通光學實驗室、高武半導體，小米通訊技術，匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心，中國科學技術大學、云塔電子，能訊高能半導體，中國科學院半導體研究所，九峰山實驗室，江南大學，中國科學院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。
據云塔科技消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發計劃戰略性科技創新合作重點專項基于第三代
2023年11月28日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga
近日，中國科學院上海微系統所魏星研究員團隊在300 mm SOI晶圓制造技術方面取得突破性進展，制備出了國內第一片300 mm射頻（RF）
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進半導體器件是全球智能、綠色、可持續發展的重要支撐力量，其在光電子，射頻