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中國氧化鎵襯底領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)鎵仁半導(dǎo)體與德國氧化鎵外延頭部企業(yè)NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術(shù)優(yōu)勢協(xié)同攻關(guān)，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合將共同推動氧化鎵在新能源、電力電子等領(lǐng)域的應(yīng)用突破，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新動能。

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅將受邀出席論壇，并帶來《寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)》的主題報。報告將圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開分析，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

近期，寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團(tuán)隊在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成

氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性能，在藍(lán)綠激

寬禁帶半導(dǎo)體具有穩(wěn)定的光電特性和高效的紫外光吸收能力，是紫外（UV）光電探測器的理想材料。然而，基于純寬禁帶半導(dǎo)體的光電探

全文刊載于《前瞻科技》2025年第1期新材料前沿：技術(shù)創(chuàng)新與未來展望，點擊文末閱讀原文獲取全文。趙璐冰-副研究員-第三代半導(dǎo)體

日盲紫外探測器（200-280nm）作為國防安全與環(huán)境監(jiān)測的火眼金睛，在森林火災(zāi)預(yù)警、深空探測等領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。然而，

近日，蘭州大學(xué)物理學(xué)院青年研究員張澤民，聯(lián)合李穎弢教授，中科大趙曉龍教授、龍士兵教授，在寬禁帶半導(dǎo)體光電探測領(lǐng)域取得重要

近日，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊張進(jìn)成教授、張金風(fēng)教授研究組在超寬禁帶半導(dǎo)體金剛石功率器件方向取得重要進(jìn)展。在國際知名

從蘭州大學(xué)獲悉，該校物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院聯(lián)合中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)組成的研究團(tuán)隊，在寬禁帶半導(dǎo)體光電探測領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，成功開

香港科技大學(xué)電子與計算機(jī)工程系陳敬教授課題組，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上報告了多項基于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵，碳化硅的最新研究進(jìn)展。研究成果覆蓋功率器件技術(shù)和新型器件技術(shù).

沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室（Advanced Semiconductor Laboratory）在超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁（AlN）肖特基勢壘二極管（SBDs）性能優(yōu)化上取得重要進(jìn)展。

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所游天桂受邀將出席論壇，并帶來《基于離子束剝離與轉(zhuǎn)移技術(shù)的寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)集成材料與器件》的主題報告，敬請關(guān)注！

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。國家自然科學(xué)基金委員會高技術(shù)研究發(fā)展中心，原技術(shù)總師史冬梅受邀將出席論壇，并帶來《氧化鎵和金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展態(tài)勢》的主題報告，敬請關(guān)注！

【項目概況】超寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備采購招標(biāo)項目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在湖北省政府采購電子交易數(shù)據(jù)匯聚平臺（網(wǎng)址：https://czt.hube

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學(xué)中心楊學(xué)林、沈波團(tuán)隊在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學(xué)研究上取得重要進(jìn)展。

近日，半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室官網(wǎng)正式官宣寬禁帶半導(dǎo)體超越照明材料與技術(shù)全國重點實驗室重組獲批，但目前官網(wǎng)頁面的

進(jìn)入第四季度以來，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項目基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目正開足馬力，搶抓施工

鎵仁半導(dǎo)體在超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得重大突破

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項名為寬禁帶半導(dǎo)體器件的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為202