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近日，江蘇印發(fā)《關(guān)于支持南京江北新區(qū)高質(zhì)量建設(shè)的意見》（以下簡稱：《意見》），以貫徹落實國家關(guān)于促進國家級新區(qū)高質(zhì)量建設(shè)

以國家安全為由禁止進口某些涉及車聯(lián)網(wǎng)的中國軟件和硬件，這實際上禁止了中國進口乘用車。

北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司（集創(chuàng)北方）與國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心（國創(chuàng)中心）在北京簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議。

對北京市認(rèn)定機構(gòu)2024年認(rèn)定報備的第三批集成電路等領(lǐng)域政策試點高新技術(shù)企業(yè)備案的公告根據(jù)《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》（國科

韓國政府已提前啟動龍仁半導(dǎo)體國家工業(yè)園區(qū)的建設(shè)，該項目預(yù)計將于 2026 年 12 月開工

國家市場監(jiān)督管理總局重點實驗室（車規(guī)芯片測試與評價）獲批建設(shè)。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項名為寬禁帶半導(dǎo)體器件的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為202

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的專利，公開號 CN 119153

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，萬國半導(dǎo)體國際有限合伙公司申請一項名為用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管的專利，公開號 CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司申請一項名為一種高一致性圖形化襯底的制備方法、圖形化襯底和LED外延

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請一項名為檢測晶圓位置的方法、晶圓環(huán)切方法及晶圓環(huán)切裝置的專利，公開號 C

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江睿熙科技有限公司申請一項名為VCSEL 集成晶圓及其制造方法的專利，公開號 CN 119134035 A，申請日

關(guān)于印發(fā)《標(biāo)準(zhǔn)提升引領(lǐng)原材料工業(yè)優(yōu)化升級行動方案（2025—2027年）》的通知

格力電器董事長董明珠在《珍知酌見》 欄目里與新浪財經(jīng)CEO鄧慶旭對話時透露，格力電器在芯片研發(fā)領(lǐng)域取得重大突破。

科技部黨組書記、部長陰和俊主持召開黨組會，傳達(dá)學(xué)習(xí)中央經(jīng)濟工作會議精神，研究部署貫徹落實工作。

國家市場監(jiān)督管理總局依法對英偉達(dá)開展立案調(diào)查。

株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司發(fā)生工商變更，新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學(xué)中心王新強教授與北京大學(xué)電子顯微鏡實驗室王濤高級工程師探測到褶皺二維氮化鎵（GaN）的聲子行為。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會”上，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的新模式，包括硬件建設(shè)、軟件建設(shè)、開發(fā)體系、技術(shù)路線等。

半導(dǎo)體行業(yè)作為高新技術(shù)的代表，得到了國家政策的大力支持和各地政府的積極投資。